ファイバグレーティング半導体レーザモジュールの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中谷 洋幸; 加藤 隆志; 高木 敏男 |
| 发表日期 | 2005-05-20 |
| 专利号 | JP3678052B2 |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | ファイバグレーティング半導体レーザモジュールの製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】一方の端面を反射器とする発光素子と、端部近傍に回折格子を備えた光ファイバとを備え、反射器と回折格子がレーザ共振器を形成するように構成された半導体光増幅器を備えるファイバグレーティング半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】光ファイバにフェルールを装着する工程と、フェルールを装着された光ファイバを発光素子と共に実装する工程とを含み、更に、光ファイバの実装に先立って、光ファイバにフェルールが装着された状態で、少なくとも回折格子が形成された部分に対して加熱及び冷却を交互に繰り返す熱履歴工程を含むファイバグレーティング半導体レーザの製造方法。 |
| 公开日期 | 2005-08-03 |
| 申请日期 | 1999-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39872]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中谷 洋幸,加藤 隆志,高木 敏男. ファイバグレーティング半導体レーザモジュールの製造方法. JP3678052B2. 2005-05-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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