半導体レーザの冷却装置
文献类型：专利
| 作者 | 三窪 和幸; 北城 栄; 常包 正樹 |
| 发表日期 | 2003-09-19 |
| 专利号 | JP3473540B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの冷却装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 励起光源となる複数のLDが発生する膨大な熱を確実に除去することのできる半導体レーザの冷却装置を提供すること。 【解決手段】 LD101a〜101fと一体化された良導性の金属部材からなる放熱体構成要素2a〜2f(総じてブロック状放熱体2)の内部に冷却水を流すための冷却路4を形成し、さらに冷却路4内に、環状体6a〜6fで形成される突起を配置する。これらの突起によって冷却水を攪拌して乱流を形成させることで冷却路4の壁面から冷却水に対する熱伝達性能を高め、LD101a〜101fの温度の低減ならびに温度制御を達成する。 |
| 公开日期 | 2003-12-08 |
| 申请日期 | 2000-02-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39882]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三窪 和幸,北城 栄,常包 正樹. 半導体レーザの冷却装置. JP3473540B2. 2003-09-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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