半导体发光元件，其制造方法及安装方法
文献类型：专利
| 作者 | 上田哲三; 油利正昭 |
| 发表日期 | 2008-11-05 |
| 专利号 | CN100431179C |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光元件，其制造方法及安装方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体发光元件、其制造方法及安装方法，目的在于：使由化合物半导体特别是GaN系半导体制成的半导体发光元件的散热性良好，增大它的静电耐压，提高它的发光效率，减少它的串联电阻。发光二极管元件(10)中有包含导电型各不相同的至少两层半导体层的元件构成体(11)，在该元件构成体(11)上形成有由ITO制成的透光性p侧电极(15)，在该p侧电极(15)上的一部分区域形成有焊接垫(16)。在元件构成体(11)的与p侧电极15相反一侧的那个面上形成有由Ti/Au制成的n侧电极(17)，还形成有以n侧电极(17)的Au层为底层、厚度约50μm、利用镀金法制成的金属膜(18)。 |
| 公开日期 | 2008-11-05 |
| 申请日期 | 2003-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39921]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上田哲三,油利正昭. 半导体发光元件，其制造方法及安装方法. CN100431179C. 2008-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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