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半导体激光元件以及激光束偏转装置

文献类型:专利

作者野田进; 黑坂刚孝; 渡边明佳; 广瀬和义; 杉山贵浩
发表日期2016-09-28
专利号CN103988379B
著作权人国立大学法人京都大学
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体激光元件以及激光束偏转装置
英文摘要对应于第1以及第2周期结构中的各个排列周期(a1、a2)的倒数的差分,在从半导体激光元件的厚度方向看的情况下,相对于第1驱动电极(E2)的长边方向成为规定的角度(δθ)的2个以上的激光束在半导体激光元件内部被生成,这些激光束的一方以在光出射端面上进行全反射的方式被设定,另一方的折射角(θ3)以小于90度的方式被设定。
公开日期2016-09-28
申请日期2012-12-05
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40004]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位国立大学法人京都大学
推荐引用方式
GB/T 7714
野田进,黑坂刚孝,渡边明佳,等. 半导体激光元件以及激光束偏转装置. CN103988379B. 2016-09-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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