一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置
文献类型：专利
| 作者 | 刘晖; 袁治远; 崔龙; 王昊; 吴迪 ; 刘兴胜
|
| 发表日期 | 2017-04-19 |
| 专利号 | CN104596639B |
| 著作权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置，能够探测半导体光源真实的远场三维强度分布。该表征装置，包括底座、光电探测器、旋转组件和摆动组件；所述旋转组件固定于底座上，摆动组件通过安装支架固定于旋转组件的旋转部，使得摆动组件的整体能够由所述旋转组件带动旋转且其自身的摆动保持相对独立；光电探测器固定安装于摆动组件上，光电探测器因摆动组件的摆动形成的弧形轨迹始终垂直于旋转部的旋转平面，并与旋转部的旋转轴共面。本发明结构简明，可靠性高，不存在旋转臂之间相互干涉现象，能够测得半导体激光器辐射强度真实的空间三维分布，可进一步实现远场特性表征。 |
| 公开日期 | 2017-04-19 |
| 申请日期 | 2014-12-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40014]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘晖,袁治远,崔龙,等. 一种用于半导体光源的远场三维强度的表征装置. CN104596639B. 2017-04-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。