曝光装置
文献类型:专利
作者 | 早川利郎; 松本研司; 森本美范; 齐藤贤一 |
发表日期 | 2007-09-19 |
专利号 | CN100338529C |
著作权人 | 富士胶片株式会社 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 曝光装置 |
英文摘要 | 本发明提供一种曝光装置。在该曝光装置中,对从激光二极管(LD)的发光点发出的光束通过狭缝进行限制。狭缝把光束限制在与LD的活性层正交的方向,并具有使设有狭缝的板可以在该正交方向移动的移动机构。由于光束和散射光的对物焦点不同,所以为了在发光点的附近,即,在接近光点为最小的点的部位限制光束,仅将散射光有效地遮断,在发光点的附近设置该狭缝板。 |
公开日期 | 2007-09-19 |
申请日期 | 2004-03-25 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40107] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 富士胶片株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 早川利郎,松本研司,森本美范,等. 曝光装置. CN100338529C. 2007-09-19. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。