氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 松下保彦; 中泽崇一 |
| 发表日期 | 2010-05-19 |
| 专利号 | CN101147303B |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明所述氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，作为氮化镓衬底的结晶面，使用在(0001)Ga面的方向上以绝对值倾斜0.16度以上5.0度以下的面，或者使用将向(0001)Ga面的方向的偏离角度作为A、向(0001)Ga面的方向的偏离角度作为B时(A2+B2)的平方根为0.17以上、7.0以下的面，且以0.5/秒以上5.0/秒以下的生长速度使活性层生长。由此，即使使用偏离角度大的氮化镓衬底，也能够提供斜率效率大、元件电阻减少、驱动电压降低、且制造合格率高、偏差少、能够发出高输出蓝紫色光的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法以及由该方法制造的化合物半导体激光元件。 |
| 公开日期 | 2010-05-19 |
| 申请日期 | 2006-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40141]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松下保彦,中泽崇一. 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件. CN101147303B. 2010-05-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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