边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | A.莱尔; C.内尔茨; C.鲁姆博尔茨; S.哈陶尔 |
| 发表日期 | 2015-08-19 |
| 专利号 | CN103119808B |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法 |
| 英文摘要 | 设置一种边缘发射的半导体激光二极管（1），其具有外延半导体层堆叠（2）和平面化层（3）。所述半导体层堆叠（2）具有基体（2a）和π形截面波导（2b），其中基体（2a）具有用于产生电磁辐射的活性层（2c）。平面化层（3）嵌入到π形截面波导（2b）中，使得π形截面波导（2b）的表面（21）和平面化层（3）的表面（22）构成平坦的主面（4）。此外设置一种用于制造这种半导体激光二极管（1）的方法。 |
| 公开日期 | 2015-08-19 |
| 申请日期 | 2011-09-07 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40161]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | A.莱尔,C.内尔茨,C.鲁姆博尔茨,等. 边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法. CN103119808B. 2015-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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