半导体激光器及其生产方法
文献类型：专利
| 作者 | 牧田幸治; 足立秀人 |
| 发表日期 | 2009-01-14 |
| 专利号 | CN100452582C |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其生产方法 |
| 英文摘要 | 本发明的半导体激光器包括：第一电导型包层，在谐振器延长方向上至少有一个脊型结构的第二电导型包层，位于两包层间的有源层和至少覆盖脊型结构一个侧面的电流阻挡层。电流阻挡层包括了氢化第一电介质膜。在这种由电介质生成电流阻挡层的结构中，光的限制效率被增强，激光器振荡阈值降低，且在高温和大功率振荡下的电流特性被改善。 |
| 公开日期 | 2009-01-14 |
| 申请日期 | 2004-08-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40165]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牧田幸治,足立秀人. 半导体激光器及其生产方法. CN100452582C. 2009-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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