半导体激光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 畑雅幸; 竹内邦生; 德永诚一 |
| 发表日期 | 2012-02-01 |
| 专利号 | CN101276990B |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种能够提高半导体激光元件的波导路的解理面的平坦性的半导体激光元件。该半导体激光元件具有：支撑基板；具有设有沿第一方向延伸的波导路的端部的一对共振器面的半导体激光元件部；以及粘接支撑基板和半导体激光元件部的粘接层。粘接层在共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。 |
| 公开日期 | 2012-02-01 |
| 申请日期 | 2008-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40184]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畑雅幸,竹内邦生,德永诚一. 半导体激光元件及其制造方法. CN101276990B. 2012-02-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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