具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 朱振; 张新; 李沛旭; 蒋锴; 徐现刚 |
| 发表日期 | 2017-08-04 |
| 专利号 | CN104242057B |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器，从下至上依次为衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、带隙过渡层和欧姆接触层，上波导层与上限制层之间以及上限制层与带隙过渡层之间均设置带隙渐变过渡层，以减小P型区各异质结处能带的不连续值，降低阻碍载流子注入的势垒高度。无铝材料及低铝组分材料的使用可以降低半导体激光器的内损耗，提高其输出功率。P型区各异质结界面处使用带隙渐变过渡层及带隙阶跃变化过渡层来降低异质结的能带不连续值，进而降低半导体激光器的工作电压。因而本发明提供的半导体激光器可以稳定工作在高输出功率下，并且具有较高的功率转换效率。 |
| 公开日期 | 2017-08-04 |
| 申请日期 | 2014-09-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40211]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱振,张新,李沛旭,等. 具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器. CN104242057B. 2017-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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