高功率高亮度半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 辛国锋; 瞿荣辉; 程灿; 皮浩洋; 陈高庭; 方祖捷 |
| 发表日期 | 2007-09-05 |
| 专利号 | CN200944496Y |
| 著作权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 高功率高亮度半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种高功率高亮度半导体激光器，其特征在于至少包括一个基本封装单元：两个基本特性相同的半导体激光器管芯的P面均相对朝向并焊接在一微通道热沉上，该两半导体激光器管芯的P面由半导体激光器的正极引出，管芯的N面由半导体激光器的负极引出，所述的半导体激光器的正极、负极引出与微通道热沉之间由绝缘片分开。本实用新型的优点是：可以将输出功率和输出功率密度提高近两倍，还可以降低工作电压，提高器件的工作稳定性和工作寿命。 |
| 公开日期 | 2007-09-05 |
| 申请日期 | 2006-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40224]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辛国锋,瞿荣辉,程灿,等. 高功率高亮度半导体激光器. CN200944496Y. 2007-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。