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半导体激光器的控制方法

文献类型:专利

作者町田豊稔; 石川务; 田中宏和
发表日期2014-04-02
专利号CN101350497B
著作权人优迪那半导体有限公司
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体激光器的控制方法
英文摘要一种对具有可用加热器调节折射率的波长选择部的半导体激光器进行控制的方法,该方法包括:启动过程,其包括调节所述加热器的发热值直至加热器的发热值到达规定值的第一步骤;以及波长控制过程,其包括在所述启动过程之后根据对所述半导体激光器的振荡波长的检测结果校正所述半导体激光器的波长的第二步骤。
公开日期2014-04-02
申请日期2008-07-18
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40250]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位优迪那半导体有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
町田豊稔,石川务,田中宏和. 半导体激光器的控制方法. CN101350497B. 2014-04-02.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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