一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片
文献类型：专利
| 作者 | 李马惠; 潘彦廷; 卫思逸; 王昱玺; 冯旭超; 穆瑶; 师宇晨; 王兴; 罗俊岗; 刘从军 |
| 发表日期 | 2017-12-29 |
| 专利号 | CN206820249U |
| 著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片，包括基板，基板上端并排设置有DFB‑MQW和EAM‑MQW，DFB‑MQW的末端和EAM‑MQW的首端相接，DFB‑MQW上端设置有DFB‑LD区局部光栅层，DFB‑LD区局部光栅层的长度Lg与DFB‑LD区总长度之比为0.5～0.8，通过设置DFB‑LD区的部分区域光栅层，大幅度提升DFB‑LD的抗反射特性，有了这种结构后，EML芯片就不用做倾斜的波导或者倾斜的出光面，也能够达到抗反射特性，从而降低了制造工艺复杂性，降低了客户封装过程中的成本。解决了现有技术中相应问题。 |
| 公开日期 | 2017-12-29 |
| 申请日期 | 2017-06-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40294]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李马惠,潘彦廷,卫思逸,等. 一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片. CN206820249U. 2017-12-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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