激光诱导制备KNb3O8纳米线的方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘立英; 李瑞; 王如志; 严辉; 隋曼龄 |
| 发表日期 | 2018-01-12 |
| 专利号 | CN106495219B |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 激光诱导制备KNb3O8纳米线的方法 |
| 英文摘要 | 激光诱导制备KNb3O8纳米线的方法属于新型功能材料技术领域。本发明使用405nm的半导体激光器，实验前在石英玻璃上镀Ti和Au，作为铌酸钾纳米线生长的衬底。向氢氧化钾溶液中加入Nb2O5粉末，使K：Nb的比例为50:1，并用磁力搅拌器搅拌15min，使Nb2O5充分溶解；激光照射时间分别为4‑12min。通过XRD、SEM等技术手段对微结构表征，表明产物为最强衍射峰在(110)晶面上的KNb3O8一维纳米线。通过紫外‑可见吸收和光致发光性能的测试，表明KNb3O8的带隙为2.98eV，具有潜在的蓝光发光特性。本发明通过激光照射时间的控制，生成长度，粗细不同的一维纳米结构，首次利用激光生成一维线状的KNb3O8纳米结构。 |
| 公开日期 | 2018-01-12 |
| 申请日期 | 2016-10-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40339]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘立英,李瑞,王如志,等. 激光诱导制备KNb3O8纳米线的方法. CN106495219B. 2018-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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