采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 刘国军; 李占国; 李林; 李梅; 尤明慧; 芦鹏; 陈佳音; 李辉; 王勇; 乔忠良 |
| 发表日期 | 2011-06-01 |
| 专利号 | CN101572387B |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器结构 |
| 英文摘要 | 大功率808nm半导体激光器被广泛应用于抽运Nd:YAG固体激光器、激光加工和激光医疗等领域。这是因为半导体激光器具有高效、结构紧凑、调制方便等优点。但是同时，人们一直关注半导体激光器的效率和温度特性等问题。本发明是关于一种采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器材料的设计和外延生长。采用波导层与有源层中插入应变量子势垒作为增大量子阱和起始垒层生长界面的物理距离和电子反射层，并且降低有源区与波导区异质结界面氧的积累的方法，在外延生长中利用多种有效方法和特殊的波导结构设计，提高导带边势能，增强防载流子泄露的能力，限制阈值电流密度，改善温度特性和激光器的量子效率。 |
| 公开日期 | 2011-06-01 |
| 申请日期 | 2009-04-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40397]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘国军,李占国,李林,等. 采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器结构. CN101572387B. 2011-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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