III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊 |
| 发表日期 | 2013-06-19 |
| 专利号 | CN102341977B |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种III族氮化物半导体激光元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器。激光构造体(13)中，第1面(13a)为第2面(13b)的相反侧的面，第1及第2割断面(27、29)从第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。而且，在例如第1割断面(27)的一端，具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的刻划痕(SM1)，刻划痕(SM1)等具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的凹形状。割断面(27、29)并非由干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面这些目前为止的裂面不同。可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。 |
| 公开日期 | 2013-06-19 |
| 申请日期 | 2010-11-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40438]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高木慎平,善积祐介,片山浩二,等. III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法. CN102341977B. 2013-06-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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