半导体激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | B.施托耶茨; A.莱尔; C.艾希勒 |
| 发表日期 | 2018-02-13 |
| 专利号 | CN103701036B |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光二极管 |
| 英文摘要 | 说明一种半导体激光二极管，具有以下特征：衬底（1），在衬底（1）上带有至少一个被设立用于生成激光光线（30）的有源层（3）的半导体层序列（2），所述激光光线（30）在运行中沿着辐射方向（50）被辐射，和－至少一个滤波层（9），所述滤波层具有主延伸平面，该主延伸平面平行于有源层（3）的主延伸平面并且被设立用于散射和/或吸收除了激光光线（30）以外也在半导体层序列（2）和/或衬底（1）中传播的光。 |
| 公开日期 | 2018-02-13 |
| 申请日期 | 2013-09-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40447]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | B.施托耶茨,A.莱尔,C.艾希勒. 半导体激光二极管. CN103701036B. 2018-02-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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