半导体元件和其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 畑雅幸; 野村康彦 |
| 发表日期 | 2011-04-20 |
| 专利号 | CN101501947B |
| 著作权人 | 晶元光电股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体元件和其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供半导体元件和其制造方法。即使在半导体元件部在面内方向中包括具有不同的热膨胀系数的多个方向的情况下，也能够抑制元件特性的下降。该半导体激光元件(半导体元件)包括：在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的[1-100]方向和[0001]方向的半导体元件部；以及在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的箭头E方向和箭头F方向的基台。而且，以半导体元件部的[1-100]方向，相比于基台的箭头F方向更靠近箭头E方向一侧的方式，半导体元件部相对于基台被接合。 |
| 公开日期 | 2011-04-20 |
| 申请日期 | 2007-08-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40477]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 晶元光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畑雅幸,野村康彦. 半导体元件和其制造方法. CN101501947B. 2011-04-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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