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半导体元件和其制造方法

文献类型:专利

作者畑雅幸; 野村康彦
发表日期2011-04-20
专利号CN101501947B
著作权人晶元光电股份有限公司
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体元件和其制造方法
英文摘要本发明提供半导体元件和其制造方法。即使在半导体元件部在面内方向中包括具有不同的热膨胀系数的多个方向的情况下,也能够抑制元件特性的下降。该半导体激光元件(半导体元件)包括:在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的[1-100]方向和[0001]方向的半导体元件部;以及在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的箭头E方向和箭头F方向的基台。而且,以半导体元件部的[1-100]方向,相比于基台的箭头F方向更靠近箭头E方向一侧的方式,半导体元件部相对于基台被接合。
公开日期2011-04-20
申请日期2007-08-08
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40477]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位晶元光电股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
畑雅幸,野村康彦. 半导体元件和其制造方法. CN101501947B. 2011-04-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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