一种应变补偿型半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 韦欣; 徐建人 |
| 发表日期 | 2018-03-02 |
| 专利号 | CN207069288U |
| 著作权人 | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种应变补偿型半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种应变补偿型半导体激光器结构，包括衬底层以及在所述衬底层由下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，所述有源层为应变补偿量子阱材料。在本实用新型的上述结构中使用应变方向与量子阱中阱材料相反的材料做垒材料，来平衡阱材料的应变，减小宏观应变，推迟或者抑制位错的产生，器件的最大输出功率有效提高。 |
| 公开日期 | 2018-03-02 |
| 申请日期 | 2017-07-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40514]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦欣,徐建人. 一种应变补偿型半导体激光器结构. CN207069288U. 2018-03-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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