内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈泳屹; 秦莉; 宁永强; 王立军; 佟存柱; 单肖楠 |
| 发表日期 | 2018-03-13 |
| 专利号 | CN104966992B |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法属于新型量子级联激光器技术领域，该激光器包括：导流孔、内建纳米通道、太赫兹量子级联激光器芯层和衬底；所述太赫兹量子级联激光器芯层包括光波导和不发光芯片区域；太赫兹量子级联激光器芯层制作在衬底上；在不发光芯片区域上制作导流孔，其深度贯穿太赫兹量子级联激光器内的多个内建纳米通道，且小于太赫兹量子级联激光器芯层和衬底厚度的总和。本发明直接针对芯片进行冷却，冷却效率高，避免了衬底的热阻带来的散热困难。内建纳米通道，可以制作在衬底上，也可以制作在半导体激光器芯层内部。选用合适的工作物质，可以实现不同温度下太赫兹量子级联激光器的工作。 |
| 公开日期 | 2018-03-13 |
| 申请日期 | 2015-05-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40534]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈泳屹,秦莉,宁永强,等. 内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法. CN104966992B. 2018-03-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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