用于控制载流子内流路径的宽度的半导体激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 赵济熙; 郭准燮 |
| 发表日期 | 2005-06-29 |
| 专利号 | CN1208885C |
| 著作权人 | 三星电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 用于控制载流子内流路径的宽度的半导体激光二极管 |
| 英文摘要 | 提供一种用于控制载流子内流路径宽度的半导体激光二极管。该半导体激光二极管包括连接到有n型电极的n型化合物半导体层；顺序堆叠在n型化合物半导体层上的n型包层，谐振层，p型包层，和p型化合物半导体层；连接到p型化合物半导体层的p型电极；和在p型电极周围形成的载流子内流宽度控制器。 |
| 公开日期 | 2005-06-29 |
| 申请日期 | 2002-02-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40544]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵济熙,郭准燮. 用于控制载流子内流路径的宽度的半导体激光二极管. CN1208885C. 2005-06-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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