垂直キャビティ表面発光型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 玉貫 岳正 |
| 发表日期 | 2018-03-02 |
| 专利号 | JP6298604B2 |
| 著作权人 | 新科實業有限公司 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 垂直キャビティ表面発光型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】低次モードの発振を抑制し、かつレーザ光の放射角度を限定することができるVCSELを提供する。 【解決手段】頂部分布ブラッグ反射鏡5は交互に重ねられた高屈折率層と低屈折率層とを有し、高屈折率層の一つは頂部分布ブラッグ反射鏡5のレーザ光出射面に位置する頂部高屈折率層14である。頂部高屈折率層14は中央領域14bと、中央領域14bの周囲に位置する周囲領域14aと、を有している。中央領域14bは周囲領域14aに対しレーザ光Lの出射方向Dに突き出した凸部14cを有している。レーザ光Lの真空中での波長をλ、中央領域14bにおける頂部高屈折率層14の膜厚をdc、周囲領域14aにおける頂部高屈折率層14の膜厚をdp、頂部高屈折率層14の屈折率をnとし、N、Mを0または自然数としたときに、dp×n=(1/4+N/2)×λ、dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λの関係にある。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2018-03-20 |
| 申请日期 | 2013-08-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40553]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新科實業有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉貫 岳正. 垂直キャビティ表面発光型半導体レーザ. JP6298604B2. 2018-03-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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