一种无铝高功率半导体激光泵浦器件结构
文献类型：专利
| 作者 | 韦欣; 徐建人 |
| 发表日期 | 2018-03-30 |
| 专利号 | CN207165917U |
| 著作权人 | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种无铝高功率半导体激光泵浦器件结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种无铝高功率半导体激光泵浦器件结构，包括衬底层以及在所述衬底层由下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，所述下限制层与所述上限制层为不含铝的InGaP材料，且所述下限制层与所述上限制层掺杂类型相反，所述下波导层与所述上波导层为不含铝的InGaAsP材料，所述上限制层为不含铝的InGaP材料。具有下述有益效果：无铝高功率半导体激光泵浦器件结构的可靠性优良，用该结构的激光器的寿命也显著延长，可达到一万五千小时以上。 |
| 公开日期 | 2018-03-30 |
| 申请日期 | 2017-07-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40596]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦欣,徐建人. 一种无铝高功率半导体激光泵浦器件结构. CN207165917U. 2018-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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