一种半导体激光bar条
文献类型：专利
| 作者 | 关永莉; 米洪龙; 梁健; 李小兵; 王琳; 董海亮 |
| 发表日期 | 2018-04-03 |
| 专利号 | CN207183793U |
| 著作权人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种半导体激光bar条 |
| 英文摘要 | 本实用新型涉及一种半导体激光bar条，包括：GaAs外延片；P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀有脊型电流注入区和非注入区，且部分P‑GaAs限制层未被P‑GaAs欧姆接触层覆盖住；GaAs外延片上刻蚀有光隔离区；形成有电流限制层，其中，电流限制层被刻蚀掉一部分以露出脊型电流注入区；电流限制层和脊型电流注入区上方形成有P面金属电极层，P面金属电极层上设置有电隔离区；GaAs衬底远离N‑GaAs限制层的一面形成有N面金属电极层。本方案，可以提高半导体激光bar条的稳定性和寿命。 |
| 公开日期 | 2018-04-03 |
| 申请日期 | 2017-09-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40633]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 关永莉,米洪龙,梁健,等. 一种半导体激光bar条. CN207183793U. 2018-04-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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