半导体激光器元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古川佳彦; 岛田诚; 木内章喜; 落合真尚; 妹尾雅之 |
| 发表日期 | 2006-05-03 |
| 专利号 | CN1254893C |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。 |
| 公开日期 | 2006-05-03 |
| 申请日期 | 2002-06-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40646]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古川佳彦,岛田诚,木内章喜,等. 半导体激光器元件及其制造方法. CN1254893C. 2006-05-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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