一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 林涛; 张浩卿; 孙航; 郭恩民; 孙锐娟 |
| 发表日期 | 2018-04-10 |
| 专利号 | CN104795730B |
| 著作权人 | 上海星地通讯工程研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，激光器所用外延片结构由从下至上依次设置的衬底，缓冲层，下限制层，下波导层，量子阱和量子垒区，上波导层，上限制层和上欧姆接触层组成；基模半导体激光器结构的上欧姆接触层的上表面设置有脊型波导，脊型波导位于基模半导体激光器的纵向中心线上，脊型波导的两端均设置有非吸收窗口，非吸收窗口与激光器的出腔面重合，脊型波导的两侧还设置有隔离沟槽，非吸收窗口和隔离沟槽下量子阱中形成禁带宽度变宽的区域，本发明的利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，具有更好的光场限制效果。本发明还公开了一种制作上述基模半导体激光器的方法，制作工艺简单，且具有更好的光场限制效果。 |
| 公开日期 | 2018-04-10 |
| 申请日期 | 2015-04-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40672]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海星地通讯工程研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林涛,张浩卿,孙航,等. 一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法. CN104795730B. 2018-04-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。