一种高速VCSEL激光器外延结构
文献类型：专利
| 作者 | 单智发 |
| 发表日期 | 2018-04-10 |
| 专利号 | CN207217999U |
| 著作权人 | 苏州全磊光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种高速VCSEL激光器外延结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供一种高速VCSEL激光器外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次采用MOCVD沉积GaAs缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述氧化限制层由多个Ga组分可自由调节的Al1‑xGaxAs外延层组成，其中X为Ga元素的组分。该激光器外延结构采用一定厚度的组分跳变的多层Al1‑xGaxAs形成氧化限制层，氧化限制层前端的形状可通过调节各层Al1‑xGaxAs的组分改变，可在氧化限制层前端形成lens结构，减小光子的散射损失，从而提高VCSEL的调制带宽。本实用新型还具有以下优点：1）通过调节氧化限制层中Ga的比例，减小氧化限制层的氧化速率，使氧化易于控制，提高VCSEL芯片产品良率；2）本实用新型氧化限制层厚度大，本征寄生电容小。 |
| 公开日期 | 2018-04-10 |
| 申请日期 | 2017-05-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40688]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州全磊光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单智发. 一种高速VCSEL激光器外延结构. CN207217999U. 2018-04-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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