一种高功率半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 韦欣; 徐建人 |
| 发表日期 | 2018-04-10 |
| 专利号 | CN207218000U |
| 著作权人 | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种高功率半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种高功率半导体激光器结构，包括衬底层以及在所述衬底层由下至上依次生长的缓冲层、过渡层一、波导层一、过渡层二、限制层一、有源层、限制层二、过渡层三、波导层二、过渡层四和接触层，所述限制层一和所述有源层之间设有隔离层一，所述有源层和所述限制层二之间设有隔离层二，所述隔离层一和所述隔离层二为非故意掺杂的砷化镓材料。本实用新型的高功率半导体激光器结构能够降低砷化铝铟镓外延层中O含量，并降低暗线缺陷传播速度的外延结构，器件寿命和可靠性有效提高。 |
| 公开日期 | 2018-04-10 |
| 申请日期 | 2017-07-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40692]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦欣,徐建人. 一种高功率半导体激光器结构. CN207218000U. 2018-04-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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