共通基板に設けた単一レーザー要素を備える垂直空洞表面放出型レーザー
文献类型：专利
| 作者 | エリヤホウ カポン; ファブリス モンティ ディ ソプラ; マルセル ブルネール |
| 发表日期 | 2002-11-29 |
| 专利号 | JP3375608B2 |
| 著作权人 | アヴァロン フォトニクス |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 共通基板に設けた単一レーザー要素を備える垂直空洞表面放出型レーザー |
| 英文摘要 | 【課題】 所定の単一横方向発光モードで高出力を有するVCSELデバイスを提供する。 【解決手段】 VCSELデバイスは共通基板に設けた複数のVCSEL要素を備え、各VCSEL要素は第1ミラー手段3と第2ミラー手段5を備え、各々所定波長で既定反射率を有するとともに前記波長の光共振器と、前記第1、第2ミラー手段の間に配設されたレーザー活性領域1とを形成する。加えて、VCSELデバイスはVCSEL要素にそれぞれ対応する複数の開口部6を有するグリッド層4と、所定厚を有するコンタクト層2とを備え、前記コンタクト層2は前記各第1ミラー手段5と前記グリッド層4の間に置かれ、前記コンタクト層2の光学的厚さおよび前記グリッド層4の反射率と吸収は、前記グリッド層4に依存するとともにグリッドによって覆われる区域とグリッド開口部6に対応する区域で異なる各第1ミラー手段3の有効反射率を与えるよう選択される。 |
| 公开日期 | 2003-02-10 |
| 申请日期 | 2000-11-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40756]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アヴァロン フォトニクス |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | エリヤホウ カポン,ファブリス モンティ ディ ソプラ,マルセル ブルネール. 共通基板に設けた単一レーザー要素を備える垂直空洞表面放出型レーザー. JP3375608B2. 2002-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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