基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法
文献类型：专利
| 作者 | 徐军; 章蓓; 张振生; 代涛 |
| 发表日期 | 2008-12-31 |
| 专利号 | CN100447945C |
| 著作权人 | 北京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法 |
| 英文摘要 | 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。 |
| 公开日期 | 2008-12-31 |
| 申请日期 | 2005-12-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40878]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,章蓓,张振生,等. 基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法. CN100447945C. 2008-12-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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