一种长波长锑化物半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 李占国; 尤明慧; 刘国军; 高欣; 李林; 李辉; 芦鹏; 王勇; 邹永刚; 乔忠良 |
| 发表日期 | 2012-10-10 |
| 专利号 | CN102208757B |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种长波长锑化物半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 本发明是一种长波长锑化物半导体激光器结构，属于半导体激光器新型材料的外延结构领域。本发明针对锑化物激随波长增加，功率、效率等变差的问题和缺点，提出一种长波长锑化物半导体激光器结构，该激光器结构能够减小因自由载流子吸收等引起的激光器功率和效率变差的问题。该激光器结构具有光模损耗小，空穴限制强，内损耗小，量子阱激光器结构效率高等特点，可以改善锑化物激光器的功率、效率等性能。 |
| 公开日期 | 2012-10-10 |
| 申请日期 | 2011-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40923]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李占国,尤明慧,刘国军,等. 一种长波长锑化物半导体激光器结构. CN102208757B. 2012-10-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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