分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 肖如磊; 陈向飞; 张云山; 施跃春; 郑吉林; 陆骏; 谢荣华; 陈权初 |
| 发表日期 | 2018-06-29 |
| 专利号 | CN105445836B |
| 著作权人 | 南京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法 |
| 英文摘要 | 本申请公开了分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法，该方法在不降低半导体激光器中布拉格光栅的强度的情况下提高光源波长的精确度。其中，制备激光器中布拉格光栅的方法包括：在光栅材料层上涂抹电子束曝光胶，所述光栅材料层位于金属n电极上；按照预定的采样光栅周期和每个采样光栅周期的占空比，通过电子束对所述光栅材料层上的电子束曝光胶进行曝光，并使用有机溶剂将所述曝光后的电子束曝光胶溶解掉，其中，所述每个采样光栅周期分成等间距的N部分，所述N的值为大于1的正整数；采用刻蚀的方法将所述衬底上溶解掉电子束曝光胶位置上的光栅材料刻蚀掉，从而形成半导体激光器中的布拉格光栅结构。 |
| 公开日期 | 2018-06-29 |
| 申请日期 | 2016-01-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41004]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖如磊,陈向飞,张云山,等. 分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法. CN105445836B. 2018-06-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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