一种半导体激光器制作方法和结构
文献类型：专利
| 作者 | 万枫; 熊永华; 王任凡; 罗飚 |
| 发表日期 | 2018-07-10 |
| 专利号 | CN105356296B |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器制作方法和结构 |
| 英文摘要 | 本发明适用于半导体光电技术领域，提供了一种新型半导体激光器制作方法和结构，制作方法包括：在衬底上的用于制造激光器区域沉淀InP缓冲层，并在用于制造调制器区域通过沉淀方式形成n‑InP缓冲层；并在上波导层上沉淀InP保护光栅层；在InP保护光栅层上生长SiO2台面构成掩蔽层，所示SiO2台面横跨调制器区域和激光器区域，并垂直于调制器区域和激光器区域的交界面；对于位于调制器区域的SiO2台面，利用沉淀方式在其一侧形成第一p‑InP层和第一p‑InGaAs层，并在其另一侧形成第一n‑InP层和第一n‑InGaAs层。本发明将掩埋异质结激光器和侧向p‑i‑n结调制器的优点结合，设计了一种新结构的EML，减小了寄生电容，进一步提高调制速率。 |
| 公开日期 | 2018-07-10 |
| 申请日期 | 2015-11-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41052]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万枫,熊永华,王任凡,等. 一种半导体激光器制作方法和结构. CN105356296B. 2018-07-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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