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半导体激光器件

文献类型:专利

作者本多正治; 渡部泰弘; 别所靖之; 田中坚太郎
发表日期2006-05-31
专利号CN1258252C
著作权人三洋电机株式会社
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体激光器件
英文摘要一种半导体激光器件,包括:一个半导体激光元件;一个框,带有一个其中布置元件的元件布置部分;及一种树脂,粘结到框上,其中框带有一个较厚部分和一个较薄部分,形成较厚部分以便至少在树脂的宽度方向上延伸,覆盖具有等于或大于这个宽度的长度的区域。由此,框的厚壁构造改进散热和强度。而且,它稳定定位基准平面和改进附着精度。
公开日期2006-05-31
申请日期2001-06-21
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41069]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
本多正治,渡部泰弘,别所靖之,等. 半导体激光器件. CN1258252C. 2006-05-31.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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