一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法
文献类型：专利
| 作者 | 李江; 廖新胜; 张丽芳; 江先锋; 孙博书 |
| 发表日期 | 2016-01-20 |
| 专利号 | CN103633549B |
| 著作权人 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法，包括以下步骤：1）将氮化铝散热片按半导体激光器巴条尺寸切割；2）将氮化铝散热片与无氧铜热沉块焊接于一起，按单芯片排列周期将氮化铝散热片切割出电绝缘槽；3）用机械夹具及氧化铝陶瓷垫片将氮化铝散热片、焊料及巴条压合在一起，置入高温回流炉中高温焊接；4）用高速旋转的切片沿电绝缘槽方向将巴条割开，使巴条上的芯片变成独立的单芯片；5）用打线机将一单芯片阴极与相邻单芯片阳极金线连接，并将集成的芯片一端的阴极和另一端的阳极分别连接到无氧铜热沉块的电极片上，以备连接外部电源。本发明的封装方法，使用寿命长、工艺简单、体积小、稳定性好、功率高，应用广泛。 |
| 公开日期 | 2016-01-20 |
| 申请日期 | 2012-08-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41095]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李江,廖新胜,张丽芳,等. 一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法. CN103633549B. 2016-01-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。