半导体激光装置和光盘装置
文献类型：专利
| 作者 | 蛭川秀一; 河西秀典; 岸本克彦 |
| 发表日期 | 2006-12-13 |
| 专利号 | CN1290239C |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光装置和光盘装置 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种半导体激光装置和光盘装置，该激光装置具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，在n型GaAs基板(101)上，顺次叠置n型第一和第二下包层(103，104)、下引导层(106)、应变InGaAsP多量子阱有源层(107)、上引导层(109)和p型上包层(110)。因为下引导层(106)由InGaP形成，所以减少了载流子从有源层中的泄漏。另外，因为上引导层(109)由AlGaAs形成，所以抑制了载流子(尤其是电子)的溢出。 |
| 公开日期 | 2006-12-13 |
| 申请日期 | 2004-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41109]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蛭川秀一,河西秀典,岸本克彦. 半导体激光装置和光盘装置. CN1290239C. 2006-12-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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