一种半导体激光器静电失效分析方法
文献类型：专利
| 作者 | 庞艺; 赵柏秦 |
| 发表日期 | 2018-08-10 |
| 专利号 | CN105425136B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器静电失效分析方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器失效分析方法，该方法包括以下步骤：对半导体激光器从低电压到高电压逐级进行ESD测试，通过比较半导体激光器ESD测试前后的光电特性曲线判断该半导体激光器是否失效，并确定其失效等级；使用高倍光学显微镜对失效半导体激光器各部位进行外观失效检查，采集并存储异常部位的图像；借助SEM观察所述半导体激光器出光面的损伤细节，采集并储存相应的图像；对所述半导体激光器的有源层损伤情况进行测试。半导体器件十分容易受到静电放电作用而失效，本发明对找到其失效机理进而对器件进行改进，可以准确定位其失效部位，得到失效机理，最终达到改进器件提高性能的目的。 |
| 公开日期 | 2018-08-10 |
| 申请日期 | 2015-12-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41164]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庞艺,赵柏秦. 一种半导体激光器静电失效分析方法. CN105425136B. 2018-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。