半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 藏本恭介 |
| 发表日期 | 2009-09-09 |
| 专利号 | CN100539334C |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 在设有包含分别具有5nm膜厚的两个InGaN阱层的2重量子阱结构的活性层的半导体激光器中，光封闭系数Γ在3.0%以下区域中阈值电流的劣化较小，具有微分效率显著改善的特性。另一方面，光封闭系数Γ小于5%时，阈值电流显著增大，且微分效率的改善量也小。因而，其光封闭系数Γ的下限最好为5%左右，若光封闭系数Γ在3.0%以下，则得到的微分效率为6W/A以上，且通过设光封闭系数Γ为2.6%以下，得到7W/A以上的微分效率。从而得到具有高微分效率的使用氮化物类III-V族化合物的半导体发光元件。 |
| 公开日期 | 2009-09-09 |
| 申请日期 | 2006-02-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41203]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藏本恭介. 半导体发光元件. CN100539334C. 2009-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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