波长受控的半导体激光器设备
文献类型：专利
| 作者 | H·M·门希; P·G·格莱赫; M·卡派; A·M·范德利 |
| 发表日期 | 2013-03-27 |
| 专利号 | CN102160246B |
| 著作权人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 波长受控的半导体激光器设备 |
| 英文摘要 | 半导体激光器设备包含具有集成光电二极管的激光二极管，其中具有集成光电二极管的激光二极管的部件其中之一也被用于加热激光二极管。因而获得了一种设计更简单的波长受控的半导体激光器。 |
| 公开日期 | 2013-03-27 |
| 申请日期 | 2009-09-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41211]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | H·M·门希,P·G·格莱赫,M·卡派,等. 波长受控的半导体激光器设备. CN102160246B. 2013-03-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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