半导体激光器用外延片
文献类型：专利
| 作者 | 马淑芳; 田海军; 吴小强; 梁建; 董海亮 |
| 发表日期 | 2015-12-30 |
| 专利号 | CN204927806U |
| 著作权人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 半导体激光器用外延片 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种半导体激光器用外延片。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，n-AlxGa1-xAs下限制层，AlxGa1-xAs下波导层，有源层，AlxGa1-xAs上波导层，p-AlxGa1-xAs上限制层，p-AlxGa1-xAs渐变层,p-GaAs顶层。其制备方法是：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在n-GaAs衬底上至下而上依次外延生长各层。本实用新型可以减少电子散失，提高有源区内电子与空穴的辐射复合效率。可以生长出高质量的晶体，能提供更深的载流子阱和更大的增益；应变补偿量子阱具有带阶大，波长漂移速度更低和透明载流子浓度更低等优势。 |
| 公开日期 | 2015-12-30 |
| 申请日期 | 2015-09-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41221]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马淑芳,田海军,吴小强,等. 半导体激光器用外延片. CN204927806U. 2015-12-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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