砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器
文献类型：专利
| 作者 | 米洪龙; 关永莉; 陈宇星; 王琳 |
| 发表日期 | 2018-08-31 |
| 专利号 | CN207801155U |
| 著作权人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供一种砷化镓激光器腔面及砷化镓激光器，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器腔面包括自下而上设置的腔面本体、阻挡层、钝化膜以及反射膜；阻挡层是由等离子体Ar+经过电场加速后轰击腔面本体，再由混合等离子体NH+经过电场加速后与腔面本体的表层发生化学反应形成的；等离子体Ar+是由高真空条件下、10‑30sccm流量的氩气在离子源的作用下形成的，其轰击腔面本体的时间为5‑20min；混合等离子体NH+是由10‑30sccm流量的氮气和氢气混合气体在离子源的作用下形成的；其与腔面本体表层发生化学反应的时间为5‑10min；钝化膜的厚度为5‑15nm，反射膜通过镀膜工艺镀制在钝化膜上；本实用新型可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性，保证其在高功率条件下的工作稳定性，并延长寿命。 |
| 公开日期 | 2018-08-31 |
| 申请日期 | 2017-09-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41224]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 米洪龙,关永莉,陈宇星,等. 砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器. CN207801155U. 2018-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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