一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极
文献类型：专利
| 作者 | 徐晨; 潘冠中; 荀孟; 蒋国庆; 解意洋 |
| 发表日期 | 2018-09-04 |
| 专利号 | CN105655867B |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极，能够解决大规模VCSEL阵列电流扩展不均匀的问题，同时还能解决传统的单条网格电极存在的同相模式吸收的问题，使阵列获得高功率同相输出。用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极包括外部边框大电极、内部双条网格电极；本发明采用多次质子注入方式制备VCSEL阵列，通过合理设计阵列单元间距和新型双条网格电极，可以解决单条网格电极存在的模式吸收问题，在保证同相激光输出的同时，可以获得高功率输出，大大提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。 |
| 公开日期 | 2018-09-04 |
| 申请日期 | 2016-04-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41241]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐晨,潘冠中,荀孟,等. 一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极. CN105655867B. 2018-09-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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