氮化物半导体激光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 川上俊之; 山崎幸生; 山本秀一郎 |
| 发表日期 | 2010-06-16 |
| 专利号 | CN1983751B |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种氮化物半导体激光元件及其制造方法。所述半导体激光元件包括：基板；设置在该基板表面的氮化物半导体层，该氮化物半导体层包括产生激光的有源层和防止有源层的恶化的防蒸镀层；形成在该氮化物半导体中以作为光限定区域的条形波导；由解理该氮化物半导体层而形成的镜面；和形成在该镜面的至少在该条形波导的一侧的沟槽，该沟槽形成为在该氮化物半导体层的表面具有开口的雕刻区域，该沟槽具有位于该防蒸镀层的附近的底表面。形成在镜面上的表面变形通过设置在该表面变形起始位置附近的该沟槽重置，从而防止了表面变形在发射激光的条形波导中形成。这使得高产率制造氮化物半导体激光元件成为可能。 |
| 公开日期 | 2010-06-16 |
| 申请日期 | 2006-11-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41245]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川上俊之,山崎幸生,山本秀一郎. 氮化物半导体激光元件及其制造方法. CN1983751B. 2010-06-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。