非圆环形腔半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 晏长岭; 邓昀; 冯源; 钟景昌 |
| 发表日期 | 2011-04-20 |
| 专利号 | CN101714744B |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 非圆环形腔半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种非圆环形腔半导体激光器，其采用非圆环形腔。由顺次连列的均为非圆环形的上电极(8)、上波导层(9)、有源增益区(10)、下波导层(11)、衬底(12)和下电极(13)构成；所述的非圆环形腔半导体激光器的下电极(13)由焊料焊接到铜热沉上；该非圆环形谐振腔在保证实现光定向输出的同时，与非圆的盘型腔半导体激光器相比提高电流注入效率在20％以上，降低激光器件的激射阈值在20％以上，提高器件电光转化效率在15-20％，提高光输出功率在10-15％，克服了现有结构的不足。该激光器可以应用于III-V族半导体材料体系，也可以应用于II-VI族半导体材料体系，还可以应用在有机发光、激光材料体系。 |
| 公开日期 | 2011-04-20 |
| 申请日期 | 2009-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41280]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 晏长岭,邓昀,冯源,等. 非圆环形腔半导体激光器. CN101714744B. 2011-04-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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