氮化物系半导体元件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 户田忠夫; 山口勤; 畑雅幸; 野村康彦 |
| 发表日期 | 2010-05-12 |
| 专利号 | CN1913104B |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物系半导体元件的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，随后在上述研磨过的第1半导体层的背面上形成n侧电极，用连接法安装氮化物系半导体激光元件。本发明还提供另一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，在上述研磨过的第1半导体层背面上形成n侧电极，热处理，附着在所述n侧电极与放热基台之间。这些方法可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。 |
| 公开日期 | 2010-05-12 |
| 申请日期 | 2003-03-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41333]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 户田忠夫,山口勤,畑雅幸,等. 氮化物系半导体元件的制造方法. CN1913104B. 2010-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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