面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列
文献类型：专利
| 作者 | 近藤崇; 村上朱实; 武田一隆; 城岸直辉; 早川纯一朗; 樱井淳 |
| 发表日期 | 2018-10-12 |
| 专利号 | CN105914581B |
| 著作权人 | 富士施乐株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列 |
| 英文摘要 | 本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。 |
| 公开日期 | 2018-10-12 |
| 申请日期 | 2015-10-09 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41367]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士施乐株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤崇,村上朱实,武田一隆,等. 面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列. CN105914581B. 2018-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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