一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器
文献类型：专利
| 作者 | 仇伯仓; 胡海 |
| 发表日期 | 2018-10-19 |
| 专利号 | CN105429002B |
| 著作权人 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器，包括有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与有源层堆叠排列的第一包层和第二包层；有源层包括沿有源层与第一包层和第二包层的堆叠方向设置的第一波导层、第一量子阱层、第二量子阱层以及第二波导层；其中，第一量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长对应于外延结构所需的输出波长，第二量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长小于该输出波长。本发明通过第二量子阱层对逃逸的载流子间接回收利用，提高了器件的内量子效率，降低了器件的阈值电流。 |
| 公开日期 | 2018-10-19 |
| 申请日期 | 2015-11-23 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41377]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇伯仓,胡海. 一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器. CN105429002B. 2018-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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