改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法
文献类型：专利
| 作者 | 尧舜; 高祥宇; 王智勇; 潘飞; 贾冠男; 李峙 |
| 发表日期 | 2016-08-24 |
| 专利号 | CN103872579B |
| 著作权人 | 华芯半导体科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法 |
| 英文摘要 | 改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于单元或阵列器件芯片，主要步骤包括：选取单个或多个发光单元具有精细结构的电流注入区的半导体激光单元或阵列器件芯片；将所述一个或各发光单元电流注入区按一定方式进行光刻、蒸镀；根据特定要求，将所述半导体激光单元或阵列器件芯片的电流注入区按照一定的尺寸和形状光刻、蒸镀，使电流注入区更加细化，半导体激光单元或阵列器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布。本发明直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅使半导体激光单元或阵列器件芯片获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，还避免其结构的复杂化。 |
| 公开日期 | 2016-08-24 |
| 申请日期 | 2014-03-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41411]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华芯半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尧舜,高祥宇,王智勇,等. 改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法. CN103872579B. 2016-08-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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