基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 渠红伟; 郑婉华; 张冶金; 张建心; 刘磊 ; 齐爱谊; 王海玲; 马绍栋; 石岩
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| 发表日期 | 2015-02-11 |
| 专利号 | CN103227416B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。 |
| 公开日期 | 2015-02-11 |
| 申请日期 | 2013-03-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41421]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渠红伟,郑婉华,张冶金,等. 基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器. CN103227416B. 2015-02-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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